Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (8)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Brytavskyi Ie$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
1.

Borschak V. A. 
Microstructural features and componential analysis of thin film CdS-Cu2S photosensing structures as element of image sensor [Електронний ресурс] / V. A. Borschak, V. A. Smyntyna, IE. V. Brytavskyi, S. V. Zubritskiy, M. I. Kutalova, Ya. I. Lepikh // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 98-102. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_17
The mechanisms of signal relaxation, associated with the removal processes of nonequilibrium charge from the space charge region of the image sensor on the basis of non-ideal heterojunction were investigated. The mechanism of the observed two-stage process was determined. Microscopic techniques (AFM, SEM) were used to estimate HJ properties (grain size, roughness) and their relations with HJ processing parameters. Novel results concerning CdS - Cu2S HJ surface morphology and impurities depth distribution were obtained. In particular, the question of observed variation of surface photosensitivity and components interdiffusion on heteroborder were clarified. Also the comparison of samples formed by two different methodics (electrodynamical spraying and vacuum evaporation techniques) was made. X-Ray diffraction (XRD) was performed in order to detect Cu-S compounds at CdS - Cu2S heterojunctions, fabricated by the vacuum deposition of CdS on a glass substrate and Cu2S layer, formed in substitution mode. The distribution of several stoichiometric phases of copper (I) sulfide was obtained as main result.
Попередній перегляд:   Завантажити - 310.03 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Borschak V. A. 
Modelling of rapid stage decay of signal of optical sensor based on heterostructure CdS-Cu2S [Електронний ресурс] / V. A. Borschak, V. A. Smyntyna, Ie. V. Brytavskyi // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 152-155. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_22
Проведено моделювання, розрахунок та аналіз просторового розподілу концентрації заряду, локалізованого в області просторового заряду гетеропереходу, зміни цього розподілу з часом за різного початкового заповнення глибоких центрів-пасток нерівноважними дірками. В межах викладеної моделі проведено теоретичний розрахунок обох характерних стадій релаксації струму, продемонстровано відповідність розрахункових та експериментально одержаних залежностей.Проведено комплекс досліджень, спрямованих на з'ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS у процесі її формування та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв'язок ступеня та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним і надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсора, для великої вибірки зразків проведено електрохімічний аналіз і дослідження за допомогою методу рентгенівської дифрактометрії.
Попередній перегляд:   Завантажити - 142.057 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Borschak V. A. 
Influence of internal parameters on the signal value in optical sensor based on the non-ideal heterostructure CdS-Cu2S [Електронний ресурс] / V. A. Borschak, Ie. V. Brytavskyi, V. A. Smyntyna, Ya. I. Lepikh, A. P. Balaban, N. P. Zatovskaya // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 41-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 137.492 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Nitsuk Yu. A. 
Photoluminescence of CdSe:Ni nanoparticles obtained by chemical method [Електронний ресурс] / Yu. A. Nitsuk, A.S. Leonenko, Yu.F. Vaksman, A.V. Korenkova, V.A. Smyntyna, Ie. V. Brytavskyi // Фотоэлектроника. - 2018. - № 27. - С. 18-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2018_27_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 941.124 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Brytavskyi Ie. V. 
Silicon nanopillars forming and covering by Zn and ti oxides for solar energy applications and biosensorics [Електронний ресурс] / Ie. V. Brytavskyi, A. V. Tereshchenko, V. B. Myndrul, M. M. Pavlenko, V. A. Smyntyna // Фотоэлектроника. - 2017. - № 26. - С. 62-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2017_26_9
Мета роботи - розробка технології та характеризації кремнієвих наноструктур в поєднанні з покриттям оксидами металів для різних застосувань в біосенсориці та сонячній енергетиці. Описано спосіб неелектролітичного травлення, модифікованого використанням шару наносфер на підкладці, сформованого за допомогою методу поверхневого центрифугування. Метод атомно-шарового осадження, який використовувався для формування оксидів на наноструктурах, продемонстрував утворення рівномірного шару і не залежить від геометрії підкладки, тому його можна застосовувати як для плоских зразків, так і для підкладок з тривимірною структурою та пористими шарами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 232.309 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Nitsuk Yu. A. 
Optical properties of of ZnS:Fe nanochrystalls obtained by colloidal method [Електронний ресурс] / Yu. A. Nitsuk, Yu. F. Vaksman, I. V. Tepliakova, V. A. Smyntyna, G. V. Korenkova, Ie. V. Brytavskyi // Фотоэлектроника. - 2019. - № 28. - С. 5-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2019_28_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 810.948 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського